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近期，媒体报导英飞凌两项电源范畴互助。 5月20日，英飞凌公司暗示，将与英伟达互助开发下一代电源体系，以改造将来人工智能数据中央所需的电力传输架构。英飞凌暗示，该全新体系架构能显著晋升数据中央内电能分配效率，并撑持于办事器主板内直接为AI芯片（图形处置惩罚器GPU）举行电力转换。 同日，英飞凌官微发布动静暗示，近期公司与深圳优优绿能株式会社深化互助，经由过程提供英飞凌进步前辈的CoolMOS™及TRENCHSTOP™ IGBT，CoolSiC™ MOSFET及EiceDRIVER™驱动器等全套功率半导体解决方案，周全赋能优优绿能新一代高质量40kW/60kW自力风道充电模块、液冷充电模块以和V2G车网互动解决方案的技能进级，显著晋升充换电装备的电能转换效率与不变性，为充电行业的高质量成长注入新动能。 英飞凌暗示，碳化硅器件与生俱来的高功率密度上风，能优化电路拓扑布局，有用削减线损，降低导通损耗及开关损耗，是打造高机能、轻量化、紧凑型充电解决方案的抱负选择。经由过程采用英飞凌CoolSiC™碳化硅解决方案，优优绿能充电模块效率晋升至97.5%以上。 于显著晋升效率的同时，英飞凌CoolSiC™沟槽栅技能经由过程更厚的氧化层及更高的筛选电压，最年夜限度地降低了栅极氧化层缺陷率，保障了产物的靠得住性。这类对于碳化硅质料物理底层的深度理解，以和跨越40年沟槽栅技能、沟槽底部电场匀称设计的持久堆集，使患上英飞凌于碳化硅范畴提早盘踞了靠得住性的领先职位地方。 跟着新能源汽车充电需求向年夜功率、高频化标的目的进级，英飞凌CoolSiC™技能正以高效、靠得住的两重上风，加快鞭策全世界充电桩行业向高质量成长转型。
