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近日，由中国香港科技年夜学霍英东研究院与中国香港科技年夜学（广州）结合孵化的“拓诺稀科技”迎来里程碑时刻——其位在南沙的首个进步前辈出产厂房正式启用！该厂房配备高尺度干净室举措措施及完美的出产研发配套，具有批量化外延制备能力，实现 “从试验室走向财产”，为年夜范围推进氧化镓外延产物走向市场奠基了坚实基础。 拓诺稀科技出产厂房位在粤港澳年夜湾区“黄金内湾”广州南沙，占地约500平方米，集研发、测试、制造、工艺撑持在一体。设有MOCVD工艺区及离子注入室、专用的气体贮存间、固废处置惩罚间，周全保障高科技产物制造的不变与安全。 氧化镓（Ga₂O₃）作为一种具备超宽禁带的半导体质料，于高压功率电子、射频通信、光电探测等范畴揭示出巨年夜的运用潜力。由中国香港科技年夜学（广州）陈子强传授与其博士生配合创建的拓诺稀科技，聚焦在氧化镓外延薄膜的制备和高机能半导体器件的开发，是全世界独家经由过程MOCVD工艺实现了不变p型导电氧化镓外延层的企业，弥补了氧化镓质料系统中持久缺掉的p型导电空缺。
